Настройка частоты оперативной памяти в windows 10

XMP не сделает все за Вас

Вы можете купить свою оперативную память G.Skill, Crucial или Corsair, но эти компании не производят настоящие микросхемы памяти DDR4. Они покупают их у полупроводниковых литейных заводов, что означает, что вся оперативная память на рынке поступает только из нескольких основных мест: Samsung, Micron и Hynix.

Кроме того, флэш-наборы памяти, рассчитанные на 4000+ МГц при низких задержках CAS, — это то же самое, что «медленная» память, которая стоит половину цены. Они оба используют чипы памяти Samsung B-die DDR4, за исключением того, что у одного есть распределитель тепла золотистого цвета, RGB-подсветка и украшенный драгоценными камнями верх.

Когда чипы поступают с завода, они тестируются в процессе, называемом биннингом. Некоторая оперативная память работает очень хорошо на частоте 4000+ МГц с низкой задержкой CAS, а другая оперативная память не может разогнаться после 3000 МГц. Это называется силиконовая лотерея, и это делает высокоскоростные комплекты дорогими.

Но скорость на коробке не всегда совпадает с истинным потенциалом Вашей оперативной памяти. Скорость XMP — это просто рейтинг, который гарантирует, что память будет работать с номинальной скоростью 100% времени. Речь идет больше о маркетинге и сегментации продукта, чем о пределах оперативной памяти; ничто не мешает Вашей оперативной памяти работать за пределами спецификации производителя, кроме того, включить XMP проще, чем разогнать ее самостоятельно.

XMP также ограничен несколькими конкретными временами. По словам представителя в Кингстоне, они «настраивают только «первичные» тайминги (CL, RCD, RP, RAS)», а поскольку система SPD, используемая для хранения профилей XMP, имеет ограниченный набор записей, остальное зависит от материнской платы, которая не всегда делает правильный выбор.

Кроме того, заводской процесс биннинга будет иметь заданный диапазон напряжения, в котором они хотят работать. Например, они могут связать свои наборы ОЗУ с напряжением 1,35 В, не проводить расширенное тестирование, если оно не прошло, и бросить его в «3200МГц среднего уровня», в который попадает большинство наборов памяти. Но что, если Вы запустили память на 1,375 вольт? А как насчет 1,390 вольт? И то, и другое по-прежнему близко к небезопасным напряжениям для DDR4, и даже небольшое добавочное напряжение может значительно повысить тактовую частоту памяти.

Разгон оперативной памяти

Все операции в оперативной памяти зависят от:

• частоты
• таймингов
• напряжения

Тестовый образец

Цифра прописанная на планке оперативной памяти не является тактовой частотой. Реальной частотой будет половина от указанной, DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных). Поэтому память DDR-400 работает на частоте 200 МГц, DDR2-800 на частоте 400 МГц, а DDR3-1333 на 666 МГц и т.д.

Итак, если на нашей планке оперативной памяти стоит метка 1600 МГц, значит оперативная память работает на частоте 800 МГц и может выполнить ровно 800 000 000 тактов за 1 секунду. А один такт будет длиться 1/800 000 000 = 125 нс (наносекунд)

Физические ограничения

Мы подобрались к главному в разгоне, а именно физическому ограничению, контроллер просто не успеет зарядить ячейку памяти за 1 шаг, на это требуется потратить времени не меньше, чем определенного физическими законам. А то, что нельзя сделать за 1 шаг, делается за несколько.

физическое ограничение памяти

Например, в нашем случае, требуется потратить около 7 шагов на зарядку. Таким образом, зарядка ячейки длится 875 нс. Полное кол-во шагов, за которые можно выполнить одну операцию, буть то чтение, запись, стирание или зарядка, называют таймингами.

Стоит оговориться и сказать. Есть способ зарядить ячейку быстрее, нужно заряжать её большим напряжением. Если мы увеличиваем базовое напряжение работы оперативной памяти, то получаем преимущество по времени зарядки и следовательно можем уменьшить тайминг, тем самым увеличив скорость.

Итак, мы знает, что частота памяти это количество операций, которое может совершить контроллер за 1 секунду, в то время как тайминги это количество шагов контроллера, требуемое для полного завершения 1 действия.

В оперативной памяти реализовано множество таймингов, каких именно в рамках статьи не имеет особо значения

Важно лишь одно, чем ниже тайминги, тем быстрее работает память

Именно увеличивая частоты, исключительно в сочетании с таймингами можно добиться увеличения производительности.

Стандартные профили таймингов

Качественная материнская плата даёт массу возможностей по оверклокингу. В оперативную память же встроены стандартные профили таймингов, оперативная память точно знает какие тайминги нужно выставлять с предлагаемыми частотами и настойчиво рекомендует «мамке» использовать именно их. Войдя в BIOS в раздел оверклокинга оперативной памяти, первое за что хочется подергать, это частота оперативной памяти. При изменении частоты автоматически пересчитываются таймтинги. По факту вы получаете примерно ту же производительность, но для другой частоты. Кроме того, матплата старается держать тайминги в стабильной зоне работы.

Тайминги наглядно

Продолжаем рассматривать тестовый образец. Как будет вести себя память после разгона?

Частотапамяти,Mhz	Тактов засекунду,шт	Время 1таминга,нс	Таймингов достабильнойзоны, шт	Всегозатраченовремени, нс
2400	1 200 000 000	83	11	913
1600	800 000 000	125	7	875
1333	666 500 000	150	6	900
1066	533 000 000	180	5	900
800	400 000 000	250	4	1000

График таймингов, в зависимости от частоты. Красным обозначено минимальное количество таймингов до преодоления физического ограничения.

Как видим из таблицы и графика, поднимая частоту, нам необходимо увеличивать тайминги, а вот время затрачиваемое на операцию практически не изменяется, как и не растёт скорость.

Как видим, средняя оперативная память с частотой 800 будет равна по производительности оперативной памяти с частотой 2400

На что действительно стоит обратить внимание, так это качество материалов, которые применил производитель. Более качественные модули дадут возможность выставлять более низкие тайминги, а следовательно большее кол-во полезных операций

Система не видит всю оперативную память (ОЗУ)! Почему в Windows доступно меньше памяти, чем установлено?

У меня на ноутбуке установлено 8 ГБ ОЗУ, но почему-то используется системой только 3,25 ГБ (про остальную в диспетчере задач написано просто «Зарезервировано аппаратно»). Подскажите, почему система не видит всю мою оперативную память и как все настроить должным образом?

Логично, что, прежде чем увеличивать ОЗУ, необходимо начать использовать на 100% ту, что имеется . Причин, из-за которых система может не использовать всю память — достаточно много (ниже я выделю те, которые покрывают

90% случаев). Отмечу, что большинство из них легко решаются даже начинающими пользователями ПК.

Настройка ОЗУ

Настройка оперативной памяти в БИОС зависит от прошивки материнской платы. В зависимости от производителя последовательность действий может различаться.

Если у вас стоит пароль на вход в BIOS (UEFI), который вы не знаете или забыли — рекомендуем ознакомиться с материалом по сбросу и установке пароля для базовой системы ввода-вывода: https://code01.ru/others/bios/reset-bios-password/

Award

Чтобы разогнать ОЗУ в БИОС от группы компаний Award, необходимо следовать несложной инструкции:

1. Перезагрузить компьютер.
2. Открыть меню BIOS нажатием кнопок Esc, Del или F2.
3. Щелкнуть по строке «Расширенные настройки» или воспользоваться сочетанием клавиш Ctrl + F1.
4. Выбрать параметр MB Intelligent Tweaker (M. I. T) c помощью кнопки «Ввод».
5. Найти вкладку System Memory Multiplier. Этот компонент изменяет тактовую частоту ОЗУ.
6. Не стоит устанавливать слишком высокое значение, его необходимо всего лишь ненамного увеличить.

Пользовательские изменения можно внести только после перехода на ручное управление

При необходимости изменить подаваемое напряжение на оперативную память. Допускается увеличение на 0,15 В. Вернуться в основное меню BIOS и выбрать пункт Advanced Chipset Features. Эта панель отвечает за тайминг. Первым делом необходимо изменить параметр DRAM Timing Selectable с автоматического управления на ручное (Manual). Далее приступить к настройке компонентов

Важно помнить, что допускается уменьшение на одно значение единовременно. Сохранить изменения и выйти из БИОС

AMI

Изменения в БИОС на платах этой фирмы практически не отличаются от авардовских:

1. Зайти в BIOS и выбрать строку Advanced BIOS Features.
2. Перейти в Advance DRAM Configuration, где следует изменить тактовую частоту, напряжение и время отклика. Алгоритм действий копирует предыдущий способ.
3. Выйти из БИОС, предварительно сохранив настройки.

UEFI

UEFI BIOS оснащен современным и удобным меню. Оно позволяет с легкостью корректировать процессы, вносить изменения в ранее недоступные параметры.

1. Вызвать BIOS. Делается это нажатием кнопок Del или F2.
2. С помощью клавиши F7 перейти во вкладку Advanced Mode.
3. Выбрать Ai Tweaker. Там необходимо найти Memory Frequency. Этот компонент отвечает за значение тактовой частоты.
4. В том же меню кликнуть по строке DRAM Timing Control. Здесь необходимо установить значения таймингов после изменения значений полей с Auto на Manual.
5. Выйти во вкладку Ai Tweaker, где нажать на панель DRAM Voltage. В открывшемся меню можно повысить подаваемое напряжение. Увеличение значений должно быть минимальным.
6. Перейти в расширенные настройки и щелкнуть по строке Advanced. Открыть меню North Bridge и найти компонент Memory Configuration.
7. Эта строка отвечает за конфигурацию модулей ОЗУ, режим работы контроля над ошибками оперативной памяти и т. д.
8. Сохранить настройки и выйти из БИОС.

AMD

Пользователи плат на платформе AMD могут воспользоваться калькулятором, который позволяет производить точечные изменения конфигурации оперативной памяти. Для разгона потребуются программы Ryzen Dram Calculator и Thaiphoon Burner. Они помогут подобрать правильные значения для характеристик ОЗУ.

1. Скачать утилиты с официального сайта и распаковать архив.
2. Запустить программу.
3. В главном меню выбрать панель, отвечающую за текущие характеристики.
4. Внести данные в поля, воспользовавшись утилитой Thaiphoon Burner.
5. Рассчитать безопасные значения нажатием клавиши Calculate Safe.
6. При необходимости можно сравнить первоначальные и пользовательские тайминги.
7. Сделать скриншот параметров, воспользовавшись кнопкой Screenshot в левом углу панели. Перенести его на другое устройство.

Теперь можно приступать к внесению изменений в меню BIOS. Для этого необходимо выбрать способ, соответствующий установленному «железу».

Способ второй: AMI BIOS

Как можно понять, решать, какая оперативная память лучше, не стоит, ведь ее показатели можно легко изменить в настройках БИОС. Перейдем теперь к AMI BIOS и расскажем, как это сделать в нем.

1. Войдя в CMOS, перейдите в меню «Advanced BIOS Features».
2. В нем вам нужно отыскать строку «Advance DRAM Configuration» и нажать на ней Enter.
3. Здесь находятся все те параметры, что были представлены в первом способе, то есть: подаваемое напряжение, тайминги и тактовая частота оперативной памяти.

По аналогии с Award BIOS, измените все параметры на нужные вам, сохраните их и перезапустите компьютер, чтобы войти в операционную систему.

Как настроить оперативную память в БИОСе

Есть три основных способа, которые позволяют изменить настройки в BIOS. Каждый из них соответствует прошивке материнской платы, установленной в системе. По этой причине пользователю следует изучить характеристики материнки прежде, чем что-то менять.

Предупреждение! Трогать подсистему неподготовленному юзеру означает возможность что-то испортить, нарушить условия гарантии. Если есть неуверенность — лучше пойти к специалисту.

Award BIOS

1. Пока компьютер перезагружается, зайти в БИОС с помощью специальной клавиши или сочетания клавиатурных кнопок. Оно может быть разным в зависимости от материнки.

2. Использовать комбинацию Ctrl + F1, чтобы попасть к настройкам.

3. Откроется окошко, где нужно стрелками клавиатуры перейти к «MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)» и нажать Enter.

4. В следующем меню найти «System Memory Multiplier». Здесь можно выставить тактовую частоту ОЗУ в большую или меньшую сторону, изменив множитель. Не стоит слишком завышать указанное значение, иначе есть риск сделать только хуже.

Важно! Любые изменения стоит вносить постепенно: на шаг за раз, а после каждого изменения перезагружать ПК и проверять, все ли в порядке. 5

Сохранить изменения параметров, выйти

5. Сохранить изменения параметров, выйти.

После рекомендуется запустить софт для тестирования оперативной памяти. Это может быть AIDA64 или любой доступный пользователю аналог.

Примечание: можно повысить производительность оперативки, увеличив напряжение, но делать это следует крайне осторожно. Безопасный максимум — 0,15 вольта

AMI BIOS

Эта система особо не отличается от предыдущей. Разве что изменены названия пунктов. Так, после входа нужно найти «Advanced BIOS Features» и перейти в «Advanced DRAM Configuration», а потом поменять настройки аналогично вышеприведенной схеме.

UEFI BIOS

Решение, которое установлено в большинстве современных материнок. Отличается понятным и привлекательным интерфейсом, как правило, русифицировано и поддерживает управление мышью. Для владельцев таких плат перемещение по разделам БИОСа стрелками осталось в прошлом.

Возможностей настройки оперативной памяти здесь значительно больше, чем в предыдущих версиях. Что можно делать, подсказывает таблица.

Как правильно подобрать оперативную память для компьютера: 10 рекомендаций

Компонент, необходимый для быстроты и эффективности работы ПК – оперативная память (ОЗУ). С чего начать, если возникло желание самостоятельно обновить оперативку? Чтобы понять, как правильно выбрать оперативную память, необходимо знать параметры, от которых зависит эффективность ОЗУ:

• от максимальной частоты, которую может поддержать процессор;
• от тайминга – количества импульсов, необходимых для операции;
• от совместимости ОЗУ с процессором;
• от совместимости разъема ОЗУ с разъемом платы;
• от пропускной способности шины.

Как быстро выбрать необходимый модуль ОЗУ для компьютера? С помощью блока фильтров на сайте можно получить подходящие конфигурации планок.

Разгон серверной ОЗУ

Рассмотрим автонастройки частоты на примере материнской платы x79 LGA2011 с процессором Intel Xeon E5-2689. Серверная оперативная память — 2 планки Samsung по 16 Gb с частотой 1333 MHz, работающие в двухканальном режиме, тайминг — 9-9-9-24.

Путь к разгону лежит через BIOS, вкладка «Chipset», раздел «Northbridge» — параметры северного моста.

Выбираем настройку «DDR Speed». Параметр «Auto» меняем на «Force DDDR3 1600». Сохраняем, перезагружаемся. Запускаем тест в программе AIDA 64, выбрав в меню «Сервис» задачу «Тест кэша и памяти», затем жмем «Start Benchmark».

В синтетическом тесте скорость чтения, записи и копирования увеличилась почти на 20%. «Memory Bus» поднялся до 800 MHz, тайминг — 11-11-11-28.

Возвращаемся в BIOS, ставим «Force DDDR3 1866».

При таких настройках прирост производительности достигает 39%. Процессор разогнался автоматически с 2600 MHz до 3292,5 MHz, прирост CPU составил 26%, параметры тайминга — 12-12-12-32.

Тайминги для модулей DDR3

Одни из самых современных модулей ОЗУ — микросхемы типа DDR3. Некоторые специалисты считают, что в отношении них такие показатели, как тайминги, имеют гораздо меньшее значение, чем для чипов предыдущих поколений — DDR 2 и более ранних. Дело в том, что эти модули, как правило, взаимодействуют с достаточно мощными процессорами (такими как, например, Intel Core i7), ресурсы которых позволяют не столь часто обращаться к ОЗУ. Во многих современных чипах от Intel, так же, как и в аналогичных решениях от AMD, есть достаточная величина собственного аналога ОЗУ в виде L2- и L3-кэша. Можно сказать, что у таких процессоров есть свой объем оперативной памяти, способный выполнять значительный объем типовых для ОЗУ функций.

Таким образом, работа с таймингами при использовании модулей DDR3, как мы выяснили, — не самый главный аспект «разгона» (если мы решим ускорить производительность ПК). Гораздо большее значение для таких микросхем имеют как раз-таки параметры частоты. Вместе с тем, модули ОЗУ вида DDR2 и даже более ранних технологических линеек сегодня все еще ставятся на компьютеры (хотя, конечно, повсеместное использование DDR3, по оценке многих экспертов, — более чем устойчивый тренд). И потому работа с таймингами может пригодиться очень большому количеству пользователей.

Назначение таймингов

Латентность (задержки между отправкой и обработкой команд) оперативной памяти записываются производителем через дефис в специальную последовательность CL-RCD-RP-RAS. Подробнее в каждом значении разберемся ниже.

CAS Latency

Отображает время, необходимое для получения данных от центрального процессора, с последующей обработкой и передачей обратно. Описывается формулой «T = (CL / количество передач в секунду) * 2000».

RAS-CAS

Показатель RCD определяет скорость перемещения информации между строками и столбцами ячеек, доступных в модулях ОЗУ. Задержки определяют, в том числе, и переход от процессов чтения к записи и обратно.

RAS Precharge (RP или tRP)

Указывает время, необходимое для перехода к новой строке с предварительной выгрузкой информации из предыдущей. Часто показатель RP равен RCD (RAS-CAS).

Как разогнать оперативную память ddr4

Для ускорения оперативки существует всего 2 способа:

• замена планок на более быстрые;
• разогнать оперативку вручную.

Замена планок ОЗУ

Самый простой, но требующий денежных затрат вариант, — установка нового модуля оперативки. Замена на ноутбуке проводится в таком порядке:

• отключить девайс от питания, выждать несколько минут до полного отключения всех индикаторов;
• снять батарею;
• поднять крышку с отсеком для слотов;
• установить новую планку RAM с лучшими характеристиками.

Самостоятельный разгон оперативки

Увеличить тактовую частоту ОЗУ абсолютно бесплатно – главная цель любителей оверклокинга.  Успех зависит от постепенного изменения параметров, в определенной последовательности, с обязательной проверкой. Специалисты не советуют новичках при разгоне ОЗУ затрагивать субтайминги и работать с напряжением на контроллере памяти.

Перечислим, на каких материнских платах можно разгонять оперативку:

• на INTEL – платы на X или Z – чипсетах;
• в AMD — все платы под современные процессоры RYZEN.

Чтобы разогнать оперативную память DDR4, нужно все действия проводить в BIOS. Алгоритм зависит от того, установлен производителем XMP-профиль или нет. Он есть у всех модулей DDR4 с частотами выше 2133 МГц. Это означает, что производитель заранее заложил в сам модуль набор настроек для активации в BIOS (UEFI).

При наличии XMP-технологии все достаточно просто – нужно выставить в настройках требуемую частоту, а все остальные параметры подстроятся автоматически.

Что делать, если XMP нет или привлекает частота 3200 МГц и выше? Тогда придется искать и подбирать все параметры вручную, скрупулезно, действуя всего на полшага вперед. Весь разгон сводится к тому, что нужно найти баланс между частотой, таймингами и вольтажом. Оптимально, когда частота максимальная, а остальные 2 параметра – минимально возможные.

Алгоритм таков:

• Войти в BIOS (после включения ПК несколько раз нажать Del до запуска БИОС).
• Перейти в раздел M.I.T.
• Для упрощения задачи сначала нужно поднять напряжение и не менять его на протяжении всего разгона (таким образом избавляемся от одного параметра и работаем только с двумя). Напряжение выставляется в разделе Dram Voltage. Безопасный максимум для DDR4 — 1,35 В. Более высокий показатель (1,4-1,45 В) уже требует дополнительного обдува модуля от перегрева.
• Второй шаг – увеличить частоту с шагом 100 МГц. Если имеется XMP-профиль, то стартуем с его частоты и таймингов. Если такой опции нет, то подбор начинается с самого минимального значения (2133 МГц).
• Во время работы с частотой тайминги не трогать. Желательно вручную зафиксировать их на заводских значениях.
• После первого повышения частоты нажать на F10, чтобы закрепить результат.
• Если компьютер запускается, то проводится стресс-тест для проверки ОЗУ на стабильность работы. Для этого лучше использовать программу AIDA. Минимальное время тестирования – 10-15 мин.

При положительном результате цикл повторяется. Нужно войти в BIOS и снова увеличить показатель частоты на 100 МГц. Затем повторно провести запуск и тест на стабильность.

Если в определенный момент компьютер не запускается или слетают настройки, то потребуется увеличить тайминги. При появлении черного экрана нужно сбросить настройки БИОСа и вернуться к заводским настройкам.

В увеличении таймингов нет особых правил. Желательно, чтобы для DDR4 первые 3 параметра не превышали 22-23. После повышения таймингов запускаем компьютер и снова тестируем. Если все работает нормально, можно повысить частоту на 100 МГц. И дальше цикл повторяется.

Если нет запуска или не пройден стресс-тест, придется увеличить тайминги на 1. Количество циклов в подборе показателей зависит от стабильности функционирования оперативки и упорства (или любви к риску) у пользователя.

Важно помнить, что срок эксплуатации разогнанной памяти значительно меньше

Влияние пропускной способности оперативной памяти на производительность Pentium-4 в играх

Эта статья была прислана на наш второй конкурс.

1. Предисловие

В последнее время на «железных» сайтах в обзорах, статьях и форумах много говорится о зависимости скорости P4 от пропускной способности оперативной памяти. Да и политика Intel, как видно из новостей, сейчас направлена не столько на процессорную составляющую, сколько на развитие двухканальных чипсетов для своих процессоров (Granite Bay, будущие Springdale и Canterwood). В проскочивших в сети первых синтетических тестах они действительно показывают довольно неплохие результаты. А как же обстоят дела в реальных приложениях, в частности — в играх? Насколько важна пропускная способности памяти в системах на Pentium 4, и какой прирост скорости дает двухканальная память?

2. Тестовая конфигурация

В проведенном мною тестировании принимала участие материнская плата на двухканальном чипсете SiS-655 (ревизии A0) — GigaByte GA-8SQ800. Как показало тестирование плат на данном чипсете, проведенное на Anandtech.com и краткий обзор именно данной платы уже на нашем Overclockers.ru, SiS-655 нисколько не уступает единственно доступному на сегодняшний день двухканальному чипсету от Intel — Granite Bay (i7205).

Итак, тестовая конфигурация:

и следующие модули памяти:

• DDR 266MHz aka PC-2100 512Mb Samsung;
• DDR 333MHz aka PC-2700 512Mb Samsung;
• DDR 400MHz aka PC-3200 512Mb Samsung;
• 2хDDR 400MHz aka PC-3200 256Mb Samsung, описание найдете здесь .

Для всех вышеперечисленных модулей памяти в BIOS материнской платы были выставлены тайминги 2,5-4-4-7 — что позволяет говорить о корректности проведения тестирования, кстати — для модулей DDR 400 эти тайминги являлись разгоном, так как стандартные тайминги для этой памяти 3-4-4-7, но она стабильно работала на заниженных таймингах и система ни в одном из 6-ти тестов не «вылетела» и не сбойнула. В двухканальном режиме память определялась материнской платой как «Single 128 bit».

Тестирование проводилось при двух разных частотах шины процессора Pentium-4: при номинальной частоте 2.0GHz (100MHz х 4) и при разогнанной до 3.0GHz (150MHz х 4). И, так сказать — «вне конкурса», приведу результаты тестов на еще более разогнанной системе (до 3.1GHz) и с памятью, разогнанной до 412MHz. Зачем — поймете ниже.

3. Методика тестирования

Для проведения тестирования я использовал следующие тесты и игры:

• 3DMark2001SE (Build 330)
• 3DMark2003
• Unreal Tournament 2003 (build 2107)
• Serious Sam: The Second Encounter v1.05
• Star Wars JK II: Jedi Outcast v1.02a
• Quake 3 Arena v1.27g

Тестирование проводилось в одном разрешении (1024х768х32bit) и в следующих настройках драйвера Catalyst 3.2: всё на режим «Quality», AF=16 Quality, FSAA=Off, VSync=Off, Truform=Off (скриншот здесь).Думаю, что при более слабых настройках графики в драйверах Catalyst на Radeon-9700Pro вряд ли кто играет, а включение полноэкранного сглаживания (FSAA) или увеличение разрешения уровняло бы результаты, нагрузив «по-полной» видеокарту.

В начале тестирования приведу результаты, показанные Cachemem, MemTach, SiSoft Sandra 2003.3.9.44 и AIDA 3.33.6 в memory-тестах.

4. Результаты тестов

4.1. Синтетические тесты пропускной способности памяти

Для получения более корректных результатов тесты в каждой из программ выполнялись по 5 раз. После каждого раза программа выгружалась и вновь загружалась. В таблицах и на диаграммах приведены средние результаты. К слову, разницы в полученных результатах практически не было (3-15 единиц).

Нижние (голубые) результаты — скорость чтения оперативной памяти, верхние (красные) — записи. Как видно основным тормозом для Pentium 4 в обоих случаях (100MHz и 150MHz) является память DDR266 (PC-2100). Интересно заметить, что 2-х гигагерцевый пентиум с двухканальной памятью почти вплотную подобрался к трехгигагерцевому с памятью PC-2700, а по скорости даже обошел. P4-3GHz + двухканальная память вне конкуренции.

Повторяются результаты показанные Cachemem-ом.